Odpowiedź :
W modelu energetycznym półprzewodnika znajdują się trzy pasma:
Pasmo podstawowe o najmniejszej energii, pasmo przewodnictwa o największej energii i znjdujące się pomiędzy nimi pasmo zabronione. Szerokość pasma zabronionego jest mniejsza od 2eV.
Nośnikami prądu są elektrony w paśmie przewodnictwa i dziury w paśmie podstawowym.
W półprzewodniku samoistnym pod wpływem dodatkowej energii (cieplnej lub świetlnej) następuje generacja elektronów do pasma przewodnictwa i powstawanie dziur w paśmie podstawowym. Mamy dwa rodzaje nośników: elektrony i dziury.
Półprzewodnik typy n - do półprzewodnika wprowadzamy domieszkę z grupy V układu okresowego w wyniku czego w paśmie zabronionym bardzo blisko pasma przewodnictwa powstaje dodatkowy poziom energetyczny na którym znajdują się elektrony które bez dodatkowej energii mogą przedostać się do pasma przewodnictwa.Oprócz tego następuje też normalna generacja par dziura-elektron. W wyniku tego postają nośniki większościowe elektrony i mniejszościowe dziury.
Półprzewodnik typu p - do półprzewodnika wprowadzamy domieszkę z III grupy układu okresowego w wyniku czego w pasmie zabronionym bardzo blisko pasma podstawowego powstaje nieobsadzony poziom energetyczny, elektrony z pasma podstawowego bez dodatkowej energii przedostają się na ten poziom pozostawiając w paśn=mie podstawowym dziury. W wyniku tego powstają nośniki większościowe dziury i mniejszościowe elektrony
Pasmo podstawowe o najmniejszej energii, pasmo przewodnictwa o największej energii i znjdujące się pomiędzy nimi pasmo zabronione. Szerokość pasma zabronionego jest mniejsza od 2eV.
Nośnikami prądu są elektrony w paśmie przewodnictwa i dziury w paśmie podstawowym.
W półprzewodniku samoistnym pod wpływem dodatkowej energii (cieplnej lub świetlnej) następuje generacja elektronów do pasma przewodnictwa i powstawanie dziur w paśmie podstawowym. Mamy dwa rodzaje nośników: elektrony i dziury.
Półprzewodnik typy n - do półprzewodnika wprowadzamy domieszkę z grupy V układu okresowego w wyniku czego w paśmie zabronionym bardzo blisko pasma przewodnictwa powstaje dodatkowy poziom energetyczny na którym znajdują się elektrony które bez dodatkowej energii mogą przedostać się do pasma przewodnictwa.Oprócz tego następuje też normalna generacja par dziura-elektron. W wyniku tego postają nośniki większościowe elektrony i mniejszościowe dziury.
Półprzewodnik typu p - do półprzewodnika wprowadzamy domieszkę z III grupy układu okresowego w wyniku czego w pasmie zabronionym bardzo blisko pasma podstawowego powstaje nieobsadzony poziom energetyczny, elektrony z pasma podstawowego bez dodatkowej energii przedostają się na ten poziom pozostawiając w paśn=mie podstawowym dziury. W wyniku tego powstają nośniki większościowe dziury i mniejszościowe elektrony
