Odpowiedź:
Wyjaśnienie:
Dla wytworzenia GaN w układzie potrzebny jest atomowy azot N. Metoda Nakamury polega na zastosowaniu niskotemperaturowej warstwy zarodkowej GaN wytwarzanej w temperaturze 510°C, dzięki której uzyskano znaczną poprawę właściwości, osadzając na niej w znacznie wyższej temperaturze kolejne warstwy GaN.
